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サムスン、高帯域メモリー「ＨＢＭ４」出荷開始 ＡＩで巻き返し狙う
2026年02月12日（木）17時18分
写真はサムスン電子の高帯域メモリー「ＨＢＭ４」。2025年12月、ソウルで撮影。REUTERS/Kim Hong-Ji
Hyunjoo Jin
[ソウル １２日 ロイター] - サムスン電子は１２日、最新の高帯域メモリー「ＨＢＭ４」の出荷を開始したと発表した。顧客名は明らかにしていない。
競合他社に遅れを取っていたＡＩ（人工知能）向け半導体市場で巻き返しを狙う。
ＨＢＭは複雑なＡＩアプリケーションが生成する膨大なデータの処理を支援するＤＲＡＭの一種。世界的なＡＩデータセンターの建設ラッシュを背景に需要が急増している。
メモリー半導体で世界首位のサムスンだが、先端ＡＩ半導体市場への対応では出遅れており、前世代のＨＢＭ供給で競合他社の後塵を拝していた。
サムスンによると、同社のＨＢＭ４は毎秒１１．７ギガビット（Ｇｂｐｓ）の安定した処理速度を実現。前世代の「ＨＢＭ３Ｅ」から処理速度が２２％向上した。最大速度は１３Ｇｂｐｓに達し、増大するデータのボトルネック解消に寄与するという。
同社は今年後半に次世代の「ＨＢＭ４Ｅ」のサンプル出荷を開始する計画も明らかにした。
