Hyunjoo Jin　Heekyong Yang　Karen Freifeld

[ソウル／ニューヨーク １８日 ロイター] - 韓国半導体大手ＳＫハイニックス傘下の米ソリダイムが、米国でＮＡＮＤ型フラッシュメモリー工場の建設を検討している。関係者３人が明らかにした。ニューヨーク州北部が有力候補地に浮上しているという。

関係者によると、ＳＫハイニックスは米半導体大手インテルのオハイオ州の施設でメモリー半導体を生産する可能性について協議を進めているが、今回の計画はこれとは別のものだ。

米国に工場を建設すれば、ソリダイムは唯一のＮＡＮＤ生産拠点である中国・大連の工場への依存を減らせるほか、米国による追加関税のリスクや対中半導体製造装置の輸出規制による影響を回避することにもつながる。 ただ、関係者の１人は計画の重要事項について協議が続いており、合意には至っていないと指摘した。

ＳＫハイニックスは「子会社のソリダイムは競争力強化に向けてさまざまな選択肢を検討しているが、現時点で具体的な計画は決まっていない」と述べた。

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