Karen Freifeld
[ニューヨーク １６日 ロイター] - 米下院で今月初めに提出された半導体製造に必要な装置・部品の対中輸出規制を強化する法案「ＭＡＴＣＨ法（ハードウエアに関する技術管理の多国間調整法）」が修正され、対中規制が縮小された。
同法案は、中国への半導体製造装置の輸出規制を強化し、日本やオランダなど同盟国との規制の足並みをそろえることを目的としている。
４月初旬版に含まれていた規制の多くは削除され、米ラム・リサーチと東京エレクトロンが製造する極低温エッチング装置への規制も除外された。
一方、オランダのＡＳＭＬのＤＵＶ液浸露光装置に対する規制は維持された。また、中国の半導体大手であるＣＸＭＴ（長鑫存儲技術）、ＹＭＴＣ（長江存儲科技）、ＳＭＩＣ（中芯国際集成電路製造）の規制対象施設への外国企業による販売禁止や、装置保守サービスへのライセンス義務付けも残された。
法案は同盟国との外交交渉に期限を設け、期限後は米国が独自に規制を課す仕組み。下院外交委員会は２２日に採決を行う予定で、法制化に向けたプロセスが進む。
米国ではトランプ政権が先端半導体への規制を緩和する中、議会主導で対中半導体規制の強化が図られている。
